IPT026N10N5ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT026N10N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPC100N04S5L1R5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT026N10N5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS-5 40 V
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 27 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.6 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) 214 W —
Paket PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C
Configuration Single with built-in diode —
Number of Terminals 8 —
Technology Trench (OptiMOS 5) —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Green Product)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260C peak reflow)
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100%

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin