IPT026N10N5ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT026N10N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPC100N04S5L1R5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPT026N10N5ATMA1 | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS-5 40 V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 202 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 27 A | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) | 214 W | — |
| پیکیج | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Number of Terminals | 8 | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Green Product) |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (260C peak reflow) |
| Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 115 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.5 mOhm (typ) |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V | — | 1.8 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% |