IPT030N12N3GATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT030N12N3GATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N04NM7VATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT030N12N3GATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 237 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W (Ta) —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W (Tc) —
Technology OptiMOS 3 Trench MOSFET, silicon
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8 (source-down)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (per manufacturer datasheet) —
RoHS Durumu Compliant with Exemption —
Channel Mode Enhancement —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin