IPT030N12N3GATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPT030N12N3GATMA1 bằng Infineon và ISC011N04NM7VATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPT030N12N3GATMA1 - 120V 237A 3mΩ N-Channel OptiMOS 3 | Infineon
IPT030N12N3GATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPT030N12N3GATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 24 A (Ta) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 237 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 375 W (Tc) | — |
| Technology | OptiMOS 3 | Trench MOSFET, silicon |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (per manufacturer datasheet) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant with Exemption | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |