IPTC054N15NM5ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPTC054N15NM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC037N12NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPTC054N15NM5ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 (IPT family) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 17.5 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 143 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 250 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A 5.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) typical 58 nC —
Forward Body Diode Voltage (VSD) 0.83 V —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Montaj Türü Surface Mount (top-side cooled) Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology — OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin