IQD005N04NM6ATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQD005N04NM6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQD005N04NM6ATMA1 | BSC019N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 58 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 610 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.5 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Paket | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 237 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 214 W |
| Avalanche Rated | — | Yes |