IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE018N06NM6CGATMA1 tarafından Infineon ve IQE036N08NM6CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE018N06NM6CGATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | OptiMOS 6 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| Paket | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| MSL Seviyesi | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |