IQE031N08LM6CGSCATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE031N08LM6CGSCATMA1 tarafından Infineon ve ISC151N08NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE031N08LM6CGSCATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 (40 V to 100 V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 127 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] —
Gate Drive Level Logic-level —
Paket PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) PG-TDSON-8 FL
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
Pin Sayısı — 8
Channel Mode — Enhancement
İşletim Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin