IQE036N08NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE036N08NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC151N08NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE036N08NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Paket | PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-TDSON-8 FL |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C (junction, per datasheet) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse, per datasheet) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |