IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE065N10NM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQD020N10NM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Aktif
Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon

IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon

IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 13 A —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 6.5 mOhm —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 100 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Paket PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench-gate —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 5 100V (IQD series)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 276 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 26 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 2.0 mOhm at VGS = 10 V
On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing — 1.8 mOhm at VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.8 V
Gate Charge (Qg, total) — 107 nC at VGS = 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 7.3 nF
Output Capacitance (Coss) — 1 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 42 pF
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Gate Drive Level — Logic-level (10 V VGS rated)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin