IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE065N10NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD020N10NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon

IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon

IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 13 A —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 6.5 mOhm —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 100 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
پیکیج PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench-gate —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 5 100V (IQD series)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 276 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 26 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 2.0 mOhm at VGS = 10 V
On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing — 1.8 mOhm at VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.8 V
Gate Charge (Qg, total) — 107 nC at VGS = 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 7.3 nF
Output Capacitance (Coss) — 1 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 42 pF
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Gate Drive Level — Logic-level (10 V VGS rated)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں