IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE220N15NM5CGATMA1 tarafından Infineon ve IQE220N15NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE220N15NM5CGATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A 44 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at Ta] 7 A
On-State Resistance RDS(on) max 22 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Paket PG-TTFN-9-3 (Source-Down) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (estimated from Tj max) —
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 5 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Pin Sayısı 9 (TTFN) —
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V (typ at 46 µA)
Total Gate Charge (Qg) — 14.4 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 14 pF
Output Capacitance (Coss) — 340 pF
Çıkış Konfigürasyonu — Single N-Channel
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin