IR2104STRPBF vs 2EDL8033G4BXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2104STRPBF tarafından Infineon ve 2EDL8033G4BXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2104STRPBF 2EDL8033G4BXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $0,59 —
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and low-side referenced output channels —
Çıkış Sayısı 2 (high-side + low-side) —
Offset Voltage (High-Side, Max) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ) 0.21 A —
Output Sink Current (typ) 0.36 A —
Rise Time (typ) 100 ns —
Fall Time (typ) 50 ns —
Propagation Delay (typ) 680 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 130 ns —
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) 150 uA —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V logic TTL
Shutdown Pin Yes (active-low shutdown input) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Cross-Conduction Prevention Yes (matched propagation delay) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +150 C —
Paket 8-SOIC (SOIC-8) PG-VDSON-8-5
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Ağ Yapısı — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Number of Channels — 2 (HS + LS)
Isolation Type — Junction-isolated (non-galvanic)
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Marking Code — 2ED8033G4B

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin