IRF1018EPBF vs IPB110P06LMATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1018EPBF tarafından Infineon ve IPB110P06LMATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF1018EPBF | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $0,38 | — |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | HEXFET (Power MOSFET) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 79 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 8.4 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 46 nC | — |
| Gate Drive Voltage (Vgs) | 10 V (optimized; +/-20 V max) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 110 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (Tj) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Paket | TO-220AB (through-hole, 3-lead) | — |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC (Industrial market) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| Paket / Kas | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| Lead-Free | — | Yes |