IRF1018EPBF vs IPB110P06LMATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF1018EPBF bằng Infineon và IPB110P06LMATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF1018EPBF | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | $0,38 | — |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | HEXFET (Power MOSFET) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 79 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 8.4 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 46 nC | — |
| Gate Drive Voltage (Vgs) | 10 V (optimized; +/-20 V max) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 110 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (Tj) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Hộp | TO-220AB (through-hole, 3-lead) | — |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC (Industrial market) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| Lead-Free | — | Yes |