IRF4905PBF vs TJ30S06M3L(T6L1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905PBF tarafından Infineon ve TJ30S06M3L(T6L1 tarafından ToshibaAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF4905PBF | TJ30S06M3L(T6L1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Toshiba |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | U-MOS (Silicon P-Channel MOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | -74 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 200 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (junction) | -55°C to +175°C (Tj) |
| Paket | TO-220AB (through-hole) | DPAK+ (TO-252-3) |
| Pin Configuration | Gate - Drain - Source (left to right) | — |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (not moisture-sensitive for TO-220) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | -60 V |
| Gate-Source Voltage (VGSS) | — | +10 V / -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | — | -30 A |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 68 W |
| RDS(ON) Max @ VGS=-10 V | — | 21.8 mΩ |
| RDS(ON) Typ @ VGS=-10 V | — | 16.8 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | -3.0 V (typ) @ VDS=-1 mA |
| Drain Leakage (IDSS) Max | — | -10 µA @ VDS=-60 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3950 pF |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |