IRF7105TRPBF vs IRF7380TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7105TRPBF tarafından Infineon ve IRF7380TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7105TRPBF IRF7380TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Series IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) —
Polarity / Configuration N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 25 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) 3.5 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) 2.3 A —
Rds(on) Maximum 100 mOhm —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
Paket 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, SOIC-8)
Total Package Power Dissipation (Pd) 2 W —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: junction temperature range] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Packaging Form Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Status Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant —
Pin Sayısı 8 —
Part Number — IRF7380TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.6 A
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin