IRF7105TRPBF vs IRF7380TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7105TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7380TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7105TRPBF IRF7380TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Series IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) —
Polarity / Configuration N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 25 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) 3.5 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) 2.3 A —
Rds(on) Maximum 100 mOhm —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
پیکیج 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, SOIC-8)
Total Package Power Dissipation (Pd) 2 W —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction temperature range] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Packaging Form Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Status Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant —
پن کی تعداد 8 —
Part Number — IRF7380TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.6 A
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں