IRFB4110PBF vs IRF1310NSTRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB4110PBF tarafından Infineon ve IRF1310NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFB4110PBF | IRF1310NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | In Stock | — |
| Birim Fiyat (USD) | $1,55 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | 36 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263AB) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free suffix) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 73.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Built-in Diode | — | Yes (intrinsic body diode) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |