IRFB4110PBF vs IRF1310NSTRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB4110PBF מאת Infineon ו IRF1310NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFB4110PBF | IRF1310NSTRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $1.55 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | 36 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263AB) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | IR MOSFET (HEXFET) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant (Pb-free suffix) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 73.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C |
| Built-in Diode | — | Yes (intrinsic body diode) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |