IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR9024NTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3710ZTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR9024NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR3710ZTRLPBF IRFR9024NTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,17
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET HEXFET (Gen 5)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC 12.7 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Paket TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
İşletim Sıcaklığı -55 C to +175 C (TJ) —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Polarity — P-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
Pulsed Dræn Akımı — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Pin Sayısı — 3

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin