IRFZ48NSTRLPBF vs IRLR3410TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFZ48NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRLR3410TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFZ48NSTRLPBF IRLR3410TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 22.7 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
RoHS Durumu Compliant —
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
MSL Seviyesi — 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin