IRLH5030TRPBF vs IRFH7084TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLH5030TRPBF tarafından Infineon ve IRFH7084TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLH5030TRPBF IRFH7084TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLH5030TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC —
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Power Dissipation at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 156 W —
Thermal Resistance to PCB (RthJC) 0.8 C/W —
Paket PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Profile Height ≤ 0.9 mm —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC standard —
Rg Tested 100% —
RoHS Compliance Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) —
Industry-Standard Pinout Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C (TJ)
MSL Seviyesi — 1
RoHS Durumu — Compliant
Klorürsüz — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin