IRLML6346TRPBF vs IRLHS6242TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6346TRPBF tarafından Infineon ve IRLHS6242TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLML6346TRPBF | IRLHS6242TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Paket | Micro3 / SOT-23 | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | HEXFET (trench MOSFET) |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±12 V |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 12 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 11.7 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 1.98 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 9.6 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55°C to +150°C |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |