IRLML6346TRPBF vs IRLHS6242TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML6346TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLHS6242TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML6346TRPBF IRLHS6242TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج Micro3 / SOT-23 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET HEXFET (trench MOSFET)
MSL لیول 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±12 V
Continuous Drain Current (TA) — 10 A
Continuous Drain Current (TC) — 12 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 11.7 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 14 nC
Power Dissipation (TA) — 1.98 W
Power Dissipation (TC) — 9.6 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +150°C
Gate Drive Level — Logic-level (4.5V); 2.5V-capable
Qualification — JEDEC standard

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں