ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC018NE2LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N04NM7VATMA1 tarafından Infineon ve BSC018NE2LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC011N04NM7VATMA1 | BSC018NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | OptiMOS 25V (Trench) |
| Paket | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8-1 (8-PowerTDFN) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55°C to +150°C (TJ) |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| MSL Seviyesi | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 29 A |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.8 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Charge (Qg) | — | 39 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2800 pF @ VDS=12V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| RoHS Durumu | — | Compliant |