ISC016N08NM8ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC016N08NM8ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC50N08S5L096ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ Aktif
Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC016N08NM8ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 8 OptiMOS 5
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V (typical rating) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 268 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 263 W —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55°C to +175°C
Paket SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (per Infineon product page) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) [DATA_NEEDED: MSL level]
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin