ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC025N08NM5LF2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC025N08NM5LF2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC028N03LF2SATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8 FL (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 198 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 2.55 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max — 3.9 V
Total Gate Charge (Qg) Max — 96 nC
Power Dissipation @ TA — 3 W
Power Dissipation @ TC — 217 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Polarity — N-Channel
RoHS Durumu — Compliant
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin