ISC060N06NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC060N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC151N08NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
ISC060N06NM6ATMA1 - 60V 62A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N06NM6ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC060N06NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 15.2 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 62 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 FL |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 (60V generation) | OptiMOS 6 |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) | — |
| Gate Drive | Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |