ISC0805NLSATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC0805NLSATMA1 tarafından Infineon ve ISC0703NLSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC0805NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 71 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 74 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.3 V —
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V 16 nC —
Input Capacitance Ciss 2.2 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 23 pF —
Output Capacitance Coss 360 pF —
Paket PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 57 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 44 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS family)
Standard Package Quantity — 5,000 (reel)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin