ISC110N12NM6ATMA1 vs BSC120N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC110N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC120N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC110N12NM6ATMA1 BSC120N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9.8 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.1 V —
Total Gate Charge (Qg) 15.4 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1.1 nF —
Output Capacitance (Coss) 330 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 10 pF —
Power Dissipation (Pd) at Tc 94 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta 3 W —
Avalanche Energy (EAS) 185 mJ —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 39 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 12 mOhm (typical)
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 28 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (TJ)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin