ISK057N04LM6ATSA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISK057N04LM6ATSA1 tarafından Infineon ve ISZ019N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISK057N04LM6ATSA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 15 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 64 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 39.1 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 8.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V (typ) 2 V (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 12 nC —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF 2800 pF at VDS=15V
Output Capacitance (Coss) 290 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 21 pF —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55C to +175C (TJ max)
Paket PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
Technology OptiMOS 6 Trench —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin