ISZ028N03LF2SATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve BSC340N08NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ028N03LF2SATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 92 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W 32 W
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Paket PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction, typical) -55C to +150C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin