ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ033N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC028N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Paket | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |