ISZ173N15NM6ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ173N15NM6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N04LSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISZ173N15NM6ATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 150V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 48 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 94 W | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench-gate MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Paket | PG-TSDSON-8 FL | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Application | Hard and soft switching, high/low frequency | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Tape & Reel Quantity | 5000 | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |