ISZ173N15NM6ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISZ173N15NM6ATMA1 bằng Infineon và BSC019N04LSTATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC019N04LSTATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISZ173N15NM6ATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 150V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 48 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 94 W | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench-gate MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Hộp | PG-TSDSON-8 FL | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Application | Hard and soft switching, high/low frequency | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Tape & Reel Quantity | 5000 | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +150 C |
| Cấp MSL | — | 1 (unlimited) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |