K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G045WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G045WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 2G x 4 1G x 8
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Arayüz CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
İşletim Sıcaklığı 0 C to 85 C 0°C to 85°C
Paket 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
Montaj Türü Surface Mount —
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS Durumu Compliant —
Veri Hızı — 2400 Mbps
Besleme Gerilimi — 1.2 V
Number of Terminals — 78
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin