K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BICR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BITD tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BICR tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BICR
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 1G x 8 1G x 8
Veri Hızı 2666 Mbps 2400 Mbps
Besleme Gerilimi 1.2 V 1.2 V (VDD/VDDQ)
İşletim Sıcaklığı -40°C to +95°C —
Paket 78FBGA 78-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 78 —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
Arayüz Parallel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Number of Banks — 16
Refresh Cycles — 8192
Pin Sayısı — 78
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin