K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BMK0 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BYK0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BMK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BMK0
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Besleme Gerilimi 1.35 V (1.5 V compatible) —
Veri Hızı 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps
Paket 96-ball FBGA 96FBGA (TFBGA)
İşletim Sıcaklığı 0°C to 85°C -40°C to 95°C
CAS Gecikme Programmable (e.g., 11, 10, 9) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
On-Die Termination Yes —
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Pin Sayısı 96 —
Die Revision D-die —
Speed Grade — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Voltage — 1.35 V
Die Version — D-die
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin