K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BMK0 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BYK0 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646D-BMK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BMK0
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
سازمان 256M x 16 256M x 16
ولتاژ تغذیه 1.35 V (1.5 V compatible) —
نرخ داده 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps
بسته‌بندی 96-ball FBGA 96FBGA (TFBGA)
دمای کاری 0°C to 85°C -40°C to 95°C
تأخیر CAS Programmable (e.g., 11, 10, 9) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
On-Die Termination Yes —
Lead-Free Yes Yes
بدون هالوژن Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
تعداد پین‌ها 96 —
Die Revision D-die —
Speed Grade — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Voltage — 1.35 V
Die Version — D-die
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت