K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-XXJ Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung Electronics ve H5TC4G63CFR-xxJ tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646E-BYMA H5TC4G63CFR-xxJ
Marka Samsung Electronics SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $14,32 —
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Besleme Gerilimi 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) —
Clock Frequency 933 MHz —
Veri Hızı 1866 Mbps/pin —
İşletim Sıcaklığı 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
Paket FBGA-96 96-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount —
RoHS Compliant Compliant
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency options]
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8 and 4 (with burst chop)
Pin Sayısı 96 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK#)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS#)
On-Chip DLL — Yes
DM Mask — Yes
İşletim Sıcaklığı Aralığı — 0°C to 95°C (case)
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes
Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix]
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh and self-refresh

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin