K4B4G1646I-BYK0 vs K4B4G1646D-BYK0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646I-BYK0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BYK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646I-BYK0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Veri Hızı | 1866 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Paket | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| Arayüz | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| RoHS | Compliant | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |