K4B4G1646I-BYK0 vs K4B4G1646D-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646I-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646I-BYK0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| پیکیج | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| RoHS | Compliant | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |