K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VE-BCWM Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RHE086VB-BCWM tarafından Samsung Electronics ve K4RAH086VE-BCWM tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RHE086VB-BCWM K4RAH086VE-BCWM
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $7,60
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb 16 Gb
Organizasyon 2G x 8 2G x 8
Veri Hızı 5600 Mbps 5600 Mbps
Besleme Gerilimi 1.1 V —
Paket 82 FBGA 82-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Arayüz DDR5 (JEDEC) —
Configuration x8 —
Application Segment Server / Data Center / Premium PC —
Manufacturer Samsung Semiconductor Samsung Electronics
RoHS Durumu unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Generation — DDR5
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank group count]
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps]
VDDQ Voltage — [DATA_NEEDED: VDDQ value]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate]
Yaşam Döngüsü Durumu — Mass Production

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin