M29F200FT55M3F2 vs M29F200FB55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F200FT55M3F2 tarafından Micron Technology ve M29F200FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F200FT55M3F2 M29F200FB55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Parallel NOR Flash Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organizasyon 256K x 8 / 128K x 16 256K x 8 bit / 128K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block (FB)
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
Paket 44-pin SO (TSOP) 48-TSOP I
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR)
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 128 K (x16 mode)
Bits per Word — 16 bits
Programming — Embedded byte/word program algorithm
Erase — Embedded block erase controller
Arayüz — Parallel
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin