M29F200FT55N3E2 vs M29F200FT55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F200FT55N3E2 tarafından Micron Technology ve M29F200FT55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash, Parallel
Memory Organization 256K x 8 / 128K x 16 —
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Arayüz Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Access Time 55 ns 55 ns
Besleme Gerilimi 5 V —
Number of Words 128 k 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Top boot block —
Program / Erase Embedded program/erase controller —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 48-TSOP I 48-pin TSOP
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel (TR suffix)
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bus Mode Byte (x8) / Word (x16) selectable —
Organizasyon — 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin