M29F200FT55N3E2 vs M29F200FT55N3F2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F200FT55N3E2 توسط Micron Technology و M29F200FT55N3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3F2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash NOR Flash, Parallel
Memory Organization 256K x 8 / 128K x 16 —
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
رابط Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Access Time 55 ns 55 ns
ولتاژ تغذیه 5 V —
Number of Words 128 k 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Top boot block —
Program / Erase Embedded program/erase controller —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
بسته‌بندی 48-TSOP I 48-pin TSOP
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel (TR suffix)
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bus Mode Byte (x8) / Word (x16) selectable —
سازمان — 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
سطح MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت