M29F800FT55M3F2 vs M29F800FB55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55M3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FT55M3F2 M29F800FB55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Parallel NOR Flash —
Density 8 Mbit (8389 kbits) —
Organizasyon 512K x 16 / 1M x 8 1M x 8 / 512K x 16
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 44-pin SO (SOP) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (T/R)
Arayüz Parallel, x8/x16 selectable —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS Durumu Compliant (lead-free suffix F2) Compliant (lead-free terminations)
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
Besleme Gerilimi — 5 V
Arayüz Türü — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin