M29W128GL70ZS3E vs M29W128GH70ZA3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W128GL70ZS3E tarafından Micron Technology ve M29W128GH70ZA3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W128GL70ZS3E M29W128GH70ZA3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash
Arayüz Parallel Parallel
Bellek Boyutu 128 Mbit (16 MB) 128 Mbit
Access Time 70 ns 70 ns
Besleme Gerilimi 2.7 V to 3.6 V (3 V class) [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Paket 64-FBGA (11x13 mm) 64-TBGA (10x13 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C (per distributor code data) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Family M29W128G (GL variant) —
Bus Width x16 —
Boot Block Architecture Bottom boot (GL) Bottom boot (GH suffix)
Program/Erase Supply Single supply (no separate VPP required) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Organizasyon — 8M x 16
Technology — SLC NOR
Program/Erase Voltage — [DATA_NEEDED: program/erase voltage]
CFI Compliant — [DATA_NEEDED: CFI compliance]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin