M29W400FB55N3F vs M29W064FT70N3F Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W400FB55N3F tarafından Micron Technology ve M29W064FT70N3F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ Aktif
Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W400FB55N3F M29W064FT70N3F
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash
Bellek Boyutu 4 Mbit —
Organizasyon 512K x8 / 256K x16 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16
Arayüz Parallel (asynchronous) Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase, read
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Byte/Word Select BYTE# pin —
Block Architecture Boot block with hardware sector protection —
Program Suspend/Erase Suspend Supported —
Paket 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) 48-TSOP I
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Density — 64 Mbit
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Boot Block Configuration — Top boot block (FT)
Programming Method — Command set / data polling / toggle bit
Block Protection — Yes, with temporary unprotection
Product Longevity Program — No
Width — x8/x16
RoHS Durumu — unknown

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin